目前我国已经投入量产的最先进光刻机是90纳米光刻机，虽然28纳米光刻机已经实现了技术上的突破，但目前还处于测试阶段，因为良品率相对比较低，并没有投入量产当中。
对此有些网友可能就产生一些大胆的想法，我们能不能使用纯国产90纳米光刻机来制造14纳米的芯片呢？
首先可以肯定地告诉大家答案，不可能。
可能有些朋友会说，用90纳米光刻机经过工艺上的改进以及多次曝光之后生产14纳米的芯片没有问题，但这只是理论上的理想值，现实当中并不可行。
这个先给大家普及一个最基本的常识，那就是光刻机的波长和精度是两码事。
提到光刻机，我们正常所说的工艺一般指的是它的精度也就是分辨率，比如国产90纳米光刻机也就是90纳米分辨率。
但实际上90纳米精度的光刻机它的波长并不是90纳米，而是比90纳米大很多。
目前市场上的光刻机分为两大类，一类是EUV光刻机，还有一种是DUV光刻机，其中EUV光刻机只有荷兰的ASML掌握了技术，其他国家并没有掌握。
目前国产光刻机属于DUV光刻机，DUV光刻机光源为准分子激光，根据技术不同，DUV光刻机波长可以分为365纳米、248纳米、193纳米、等效134纳米。
目前国产90nmDUV光刻机波长应该是在193纳米到248纳米之间。
那为什么我们又说国产光刻机最先进达到90纳米呢？其实这里面除了波长之外，还需要通过物镜以及光源来达到提升精度的目的。
但是目前国产物镜以及光源同样存在很大的挑战，而全球最顶尖的物镜以及光源生产商，比如德国蔡司以及美国的crymer，他们是不可能将最先进的物镜以及光源出口给我们的，光靠国产供应商提供短期内很难实现光刻机精度的提升。
所以想要用国产光刻机来制造14纳米芯片几乎不可能，要是有可能我们现在就不至于这么头疼了。
可能有些朋友会说，用90纳米光刻机经过多次曝光之后同样可以生产出14纳米芯片，但是在这里面很多人可能忽略了几个问题。
第1个是成本问题。
假如利用90纳米光刻机经过多次曝光生产14纳米芯片，其成本将会迅速上升，有可能成本是普通14nm纳米芯片成本的好几倍，最终生产出来的芯片没有任何市场优势了，企业也不可能做这种亏本生意的。
第2个是良品率的问题。
就算我国经过多种努力之后，真的能够用90纳米光刻机生产14纳米芯片了，但是良品率绝对不会很高，良品率能够达到10%已经非常不错了，如此低的良品率不仅大大提升企业的成本，关键是有没有厂家愿意采购这种芯片是一个大问题。
所以综合各种因素之后，想利用90纳米国产光刻机来制造实施纳米芯片基本不可能。
目前唯一有希望的是，等国产28nm光刻机量产之后，确实有可能用于生产14纳米甚至7纳米的芯片。
目前国产28纳米光刻机已经实现技术突破，目前还在测试阶段，按照上海微电子原来的计划，据说2022年底之前会量产，但是按照目前的进度来看，估计短期内很难实现量产，有可能需要等到2023年甚至2024年。
但既然我国已经实现了28纳米光刻机技术的突破，未来28纳米光刻机量产迟早会到来。
一旦我国掌握了成熟的28纳米光刻机之后，再配合芯片制造工艺的改进，再经过多次曝光之后是可以用于生产14纳米光刻机的，甚至有可能用于生产7nm纳米芯片。
要知道台积电第1代7纳米芯片其实也是用DUV光刻机实现的，当时他们采用的是ASML的ARFi型号DUV光刻机，这个光刻机的最大分辨率是38纳米。
而据说上海微电子研发出来的新一代光刻机最大分辨率也是达到38纳米，如此一来，确实有很大的希望可以用于生产14纳米芯片和7纳米芯片。
当然除了依赖光刻机的技术进步之外，目前市场上还有一种提升芯片性能的路线，那就是芯片堆叠，也就是把两个芯片叠在一起，从而达到提升芯片性能的目的，这种路线已经被证实是可行的。